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IXYQ40N65C3D1

IXYQ40N65C3D1

참조 용

부품 번호 IXYQ40N65C3D1
PNEDA 부품 번호 IXYQ40N65C3D1
설명 IGBT
제조업체 IXYS
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예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYQ40N65C3D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYQ40N65C3D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IXYQ40N65C3D1 사양

제조업체IXYS
시리즈XPT™, GenX3™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 40A
전력-최대300W
에너지 전환830µJ (on), 650µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지66nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C23ns/110ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)40ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

42A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

전력-최대

49W

에너지 전환

240µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/160ns

테스트 조건

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGB20NB41LZT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

442V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

5mJ (on), 12.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1µs/12.1µs

테스트 조건

320V, 20A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

NGTB40N65IHL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

전력-최대

300W

에너지 전환

360µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/140ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

465ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG7CH35UEF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 5A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

85nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/160ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IGP01N120H2XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

3.2A

전류-수집기 펄스 (Icm)

3.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 1A

전력-최대

28W

에너지 전환

140µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

8.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/370ns

테스트 조건

800V, 1A, 241Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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