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J111RLRPG

J111RLRPG

참조 용

부품 번호 J111RLRPG
PNEDA 부품 번호 J111RLRPG
설명 JFET N-CH 35V 0.35W TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,996
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

J111RLRPG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호J111RLRPG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
J111RLRPG, J111RLRPG 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 156.22 KB)
PDFJ112RLRAG 데이터 시트 표지
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J111RLRPG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)35V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id3V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)30 Ohms
전력-최대350mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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MPF4393RLRPG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 15V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

J174_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

85 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

60mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

500mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18 (TO-206AA)

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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