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J2A040YXS/T0BY424,

J2A040YXS/T0BY424,

참조 용

부품 번호 J2A040YXS/T0BY424,
PNEDA 부품 번호 J2A040YXS-T0BY424
설명 TRANSISTOR JFET 8PLLCC
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,268
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J2A040YXS/T0BY424 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호J2A040YXS/T0BY424,
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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J2A040YXS/T0BY424 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
FET 유형-
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

175mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 500pA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

25 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

30mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6.5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SMini3-G1

JANTX2N4091

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

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NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

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작동 온도

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