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JAN1N3045B-1

JAN1N3045B-1

참조 용

부품 번호 JAN1N3045B-1
PNEDA 부품 번호 JAN1N3045B-1
설명 DIODE ZENER 110V 1W DO41
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,966
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N3045B-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N3045B-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N3045B-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/115
전압-제너 (Nom) (Vz)110V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)450 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 83.6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±10%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 22.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

MMBZ5245BT-7-G

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MTZJT-7736B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

75 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

1N5955BRL

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

180V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

900 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 136.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

82V

공차

±10%

전력-최대

1.85W

임피던스 (최대) (Zzt)

65 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 59V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

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