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JAN1N4112D-1

JAN1N4112D-1

참조 용

부품 번호 JAN1N4112D-1
PNEDA 부품 번호 JAN1N4112D-1
설명 DIODE ZENER 18V DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,794
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 10 - 1월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N4112D-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N4112D-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N4112D-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/435
전압-제너 (Nom) (Vz)18V
공차±1%
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)100 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50nA @ 13.7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35 (DO-204AH)

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75V

공차

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전력-최대

410mW

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 6.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

PLZ15B-G3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

16 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-219AC (microSMF)

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

125 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 39V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

100°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD110

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