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JAN1N4129CUR-1

JAN1N4129CUR-1

참조 용

부품 번호 JAN1N4129CUR-1
PNEDA 부품 번호 JAN1N4129CUR-1
설명 DIODE ZENER 62V DO213AA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N4129CUR-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N4129CUR-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N4129CUR-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/435
전압-제너 (Nom) (Vz)62V
공차±2%
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)500 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10nA @ 47.1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AA

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

1N5369BRLG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

27 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

SMZJ3801A-E3/5B

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±10%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

33 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMBJ)

1N5950PE3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

110V

공차

±20%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

300 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 83.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

BZD27C27P RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±7.03%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 20V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

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