JAN1N5419
참조 용
부품 번호 | JAN1N5419 | ||||||||||||||||||
PNEDA 부품 번호 | JAN1N5419 | ||||||||||||||||||
설명 | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | ||||||||||||||||||
제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
단가 |
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재고 있음 | 389 | ||||||||||||||||||
창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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JAN1N5419 리소스
브랜드 | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | JAN1N5419 |
분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JAN1N5419 사양
제조업체 | Microsemi Corporation |
시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/411 |
다이오드 유형 | Standard |
전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 500V |
전류-평균 정류 (Io) | 3A |
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.5V @ 9A |
속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
역 복구 시간 (trr) | 250ns |
전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 500V |
커패시턴스 @ Vr, F | - |
장착 유형 | Through Hole |
패키지 / 케이스 | B, Axial |
공급자 장치 패키지 | - |
작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
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Taiwan Semiconductor Corporation 제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 850mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
Microsemi 제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -65°C ~ 125°C |
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 700mV @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 300pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 SMC 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
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