JAN1N5526D-1
참조 용
| 부품 번호 | JAN1N5526D-1 |
| PNEDA 부품 번호 | JAN1N5526D-1 |
| 설명 | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,174 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN1N5526D-1 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JAN1N5526D-1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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JAN1N5526D-1 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/437 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 6.8V |
| 공차 | ±1% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 30 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 6.2V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-35 (DO-204AH) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 62V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 125 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 47.1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 DO-213AB |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 전압-제너 (Nom) (Vz) - 공차 - 전력-최대 - 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 180V 공차 ±10% 전력-최대 1.5W 임피던스 (최대) (Zzt) 1.3 kOhms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 129.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/435 전압-제너 (Nom) (Vz) 110V 공차 ±1% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 125 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 83.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 E-MELF 공급자 장치 패키지 D-5B |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 24V 공차 ±6% 전력-최대 225mW 임피던스 (최대) (Zzt) 70 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 16.8V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
