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JAN1N5551US

JAN1N5551US

참조 용

부품 번호 JAN1N5551US
PNEDA 부품 번호 JAN1N5551US
설명 DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,174
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N5551US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N5551US
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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JAN1N5551US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/420
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 9A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)2µs
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지D-5B
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

B, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-SD300C32C

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

3200V

전류-평균 정류 (Io)

540A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.08V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

15mA @ 3200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Clamp On

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AA, A-PUK

작동 온도-접합

-

GP10F-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

TSPB15U50S S2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

560mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

SMPC4.0

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S1D-E3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

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