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JAN1N6340US

JAN1N6340US

참조 용

부품 번호 JAN1N6340US
PNEDA 부품 번호 JAN1N6340US
설명 DIODE ZENER 47V 500MW B-SQ MELF
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,552
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N6340US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N6340US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N6340US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/533
전압-제너 (Nom) (Vz)47V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)75 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50nA @ 36V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지B, SQ-MELF

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제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±3%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

UMD2

JANTXV1N755C-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/127

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

SMBJ5914CE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

75µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMBJ (DO-214AA)

BZT55B36-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-80 Variant

공급자 장치 패키지

SOD-80 QuadroMELF

1N6334

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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