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JAN1N6341

JAN1N6341

참조 용

부품 번호 JAN1N6341
PNEDA 부품 번호 JAN1N6341
설명 DIODE ZENER 51V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,822
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N6341 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N6341
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N6341 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/533
전압-제너 (Nom) (Vz)51V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)85 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50nA @ 39V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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Microsemi Corporation

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-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

RLZTE-116.8A

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 3.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

LLDS

1N4760A R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 51.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

MMBZ5240ELT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

17 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

TZMC15-M-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

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