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JAN1N6351

JAN1N6351

참조 용

부품 번호 JAN1N6351
PNEDA 부품 번호 JAN1N6351
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,730
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N6351 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N6351
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N6351 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

관심을 가질만한 제품

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NZ9F13VST5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13.2V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

37 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 10V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-923

공급자 장치 패키지

SOD-923

CDLL3826A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

1N5352AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 10.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±5%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 700mV

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SC-76-2

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