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JAN1N6677UR-1

JAN1N6677UR-1

참조 용

부품 번호 JAN1N6677UR-1
PNEDA 부품 번호 JAN1N6677UR-1
설명 DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,228
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N6677UR-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N6677UR-1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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JAN1N6677UR-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/610
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)40V
전류-평균 정류 (Io)200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If500mV @ 200mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 40V
커패시턴스 @ Vr, F50pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AA
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 2.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

44pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBRB1635HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

CDSP400-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 0.5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-723

공급자 장치 패키지

SOD-723

작동 온도-접합

125°C (Max)

HS3F R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

CUS04(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

700mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 700mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

38pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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