JAN1N757AUR-1
참조 용
| 부품 번호 | JAN1N757AUR-1 |
| PNEDA 부품 번호 | JAN1N757AUR-1 |
| 설명 | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,976 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 29 - 1월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN1N757AUR-1 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JAN1N757AUR-1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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JAN1N757AUR-1 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/127 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 9.1V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 10 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 7V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-213AA (Glass) |
| 공급자 장치 패키지 | DO-213AA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/435 전압-제너 (Nom) (Vz) 2.7V 공차 ±1% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 30 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 60µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 270V 공차 ±5% 전력-최대 1.85W 임피던스 (최대) (Zzt) 1.2 kOhms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 200V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SOD-64, Axial 공급자 장치 패키지 SOD-64 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 전압-제너 (Nom) (Vz) - 공차 - 전력-최대 - 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 전압-제너 (Nom) (Vz) - 공차 - 전력-최대 - 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 5.6V 공차 ±3% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 11 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 2.5V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
