JAN2N6351
참조 용
| 부품 번호 | JAN2N6351 |
| PNEDA 부품 번호 | JAN2N6351 |
| 설명 | TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,412 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN2N6351 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JAN2N6351 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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JAN2N6351 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/472 |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 5A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 150V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 2.5V @ 10mA, 5A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 5V |
| 전력-최대 | 1W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-205AC, TO-33-4 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-33 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 2V 전력-최대 800mW 주파수-전환 150MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 2-TP-FA |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 270 @ 100mA, 2V 전력-최대 2W 주파수-전환 320MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-243AA 공급자 장치 패키지 MPT3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V 전력-최대 625mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
