JAN2N657S
참조 용
| 부품 번호 | JAN2N657S |
| PNEDA 부품 번호 | JAN2N657S |
| 설명 | TRANS NPN 100V 0.02A |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,842 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN2N657S 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JAN2N657S |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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JAN2N657S 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 20mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 100V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| 전력-최대 | - |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-5 |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 3V 전력-최대 300mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SC-72 Formed Leads 공급자 장치 패키지 SPT |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V 전력-최대 625mW 주파수-전환 200MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 MICROSS/On Semiconductor 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
