JAN2N6800U
참조 용
| 부품 번호 | JAN2N6800U |
| PNEDA 부품 번호 | JAN2N6800U |
| 설명 | MOSFET N-CH 18-LCC |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,256 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN2N6800U 리소스
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JAN2N6800U 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 400V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 34.75nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| 패키지 / 케이스 | 18-CLCC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 54A (Ta), 334A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 85nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5693pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.2W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 260mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 200pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 750mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스 E-Line-3 |
제조업체 Global Power Technologies Group 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.2nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 395pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 52W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 901pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 100W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 25Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 94µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.9nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 154pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
