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JANS1N4100-1

JANS1N4100-1

참조 용

부품 번호 JANS1N4100-1
PNEDA 부품 번호 JANS1N4100-1
설명 DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 14,148
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANS1N4100-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANS1N4100-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JANS1N4100-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/435
전압-제너 (Nom) (Vz)7.5V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)200 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 5.7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 152V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 500mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

CDLL4921A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DDZ10CS-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±2.51%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

MMBZ4705-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 13.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1N5925D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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