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JANS1N4971US

JANS1N4971US

참조 용

부품 번호 JANS1N4971US
PNEDA 부품 번호 JANS1N4971US
설명 DIODE ZENER 36V 5W D5B
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,074
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANS1N4971US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANS1N4971US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JANS1N4971US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)36V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)11 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 27.4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지D-5B

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*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CZRV5245B-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

16 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-60°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

1N4756AGE3

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 35.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

SMZG3792BHE3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

7.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AA, SMB Gull Wing

공급자 장치 패키지

DO-215AA (SMBG)

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