JANS1N5809
참조 용
| 부품 번호 | JANS1N5809 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | JANS1N5809 | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 1,894 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 16 - 4월 21 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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JANS1N5809 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANS1N5809 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JANS1N5809 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 875mV @ 4A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 30ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | B, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.15V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합 - |
제조업체 Sanken 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 250mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.5V @ 250mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 400ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.6V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 120ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 8.5pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-220AA 공급자 장치 패키지 DO-220AA (SMP) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.4V @ 12A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
