JANS1N6661
참조 용
| 부품 번호 | JANS1N6661 |
| PNEDA 부품 번호 | JANS1N6661 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 225V 500MA AXIAL |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,938 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANS1N6661 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANS1N6661 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JANS1N6661 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/587 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 225V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 500mA |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 400mA |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 50nA @ 225V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-35 |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 TO-263AB (D²PAK) 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Bourns Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 12A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 12A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 190µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 360pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-PowerTSFN 공급자 장치 패키지 PG-VSON-4 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 17pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
