JANS1N6677UR-1
참조 용
| 부품 번호 | JANS1N6677UR-1 |
| PNEDA 부품 번호 | JANS1N6677UR-1 |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,884 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANS1N6677UR-1 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANS1N6677UR-1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JANS1N6677UR-1 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/610 |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 40V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 200mA |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 500mV @ 200mA |
| 속도 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 40V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-213AA (Glass) |
| 공급자 장치 패키지 | DO-213AA |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 125°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.15V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 125mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 100mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 9ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 80V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 0.5V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 0603/SOD-523F 작동 온도-접합 -40°C ~ 125°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-220AA 공급자 장치 패키지 DO-220AA (SMP) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SOD-64, Axial 공급자 장치 패키지 SOD-64 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 85A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 85A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -65°C ~ 180°C |
