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JANTX1N1614R

JANTX1N1614R

참조 용

부품 번호 JANTX1N1614R
PNEDA 부품 번호 JANTX1N1614R
설명 DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,282
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTX1N1614R 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTX1N1614R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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JANTX1N1614R 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/162
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 15A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-203AA (DO-4)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

700mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-11DQ05

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1.1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

VS-MBR340

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

600µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

C-16, Axial

공급자 장치 패키지

C-16

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

US1M/1

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

ES1FL RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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