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JANTX1N4120C-1

JANTX1N4120C-1

참조 용

부품 번호 JANTX1N4120C-1
PNEDA 부품 번호 JANTX1N4120C-1
설명 DIODE ZENER 30V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,172
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTX1N4120C-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTX1N4120C-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JANTX1N4120C-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/435
전압-제너 (Nom) (Vz)30V
공차±2%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)200 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10nA @ 22.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35 (DO-204AH)

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

28V

공차

±5%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

44 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 21V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1N5337/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±20%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 7.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5916A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

TZMC2V4-M-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

85 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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