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JANTX1N4148UR-1

JANTX1N4148UR-1

참조 용

부품 번호 JANTX1N4148UR-1
PNEDA 부품 번호 JANTX1N4148UR-1
설명 DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 15,996
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 26 - 7월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTX1N4148UR-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTX1N4148UR-1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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JANTX1N4148UR-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/116
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)75V
전류-평균 정류 (Io)200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)20ns
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 75V
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AA
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

관심을 가질만한 제품

MBR40200PTE3/TU

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

MBR735

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

7.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SS14 R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

SFAF1606G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

ITO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBR80100

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

80A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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