JANTX1N5620
참조 용
| 부품 번호 | JANTX1N5620 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | JANTX1N5620 | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 288 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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JANTX1N5620 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTX1N5620 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JANTX1N5620 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/427 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 800V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 3A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 2µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 500nA @ 800V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | A, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 200°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 700mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 400µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 1A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 640mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F 50pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123F 공급자 장치 패키지 SOD-123F 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.4V @ 6A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 220A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.75V @ 800A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr 50mA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AB, DO-9, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AB, DO-9 작동 온도-접합 -45°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 150A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 150A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 4mA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AA, DO-8, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AA (DO-8) 작동 온도-접합 -60°C ~ 200°C |
