JANTX2N2219AL
참조 용
| 부품 번호 | JANTX2N2219AL |
| PNEDA 부품 번호 | JANTX2N2219AL |
| 설명 | TRANS NPN 50V 0.8A TO46 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,046 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTX2N2219AL 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTX2N2219AL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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JANTX2N2219AL 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/251 |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 800mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 10nA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| 전력-최대 | 800mW |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-39 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP + Diode (Isolated) 전류-수집기 (Ic) (최대) 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V 전력-최대 150mW 주파수-전환 140MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지 UMT5 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대) 250nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 25 @ 30mA, 10V 전력-최대 625mW 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V 전력-최대 350mW 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 400nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V 전력-최대 360mW 주파수-전환 675MHz 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 800mV @ 1mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V 전력-최대 800mW 주파수-전환 120MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92MOD |
