JANTX2N3636UB
참조 용
| 부품 번호 | JANTX2N3636UB |
| PNEDA 부품 번호 | JANTX2N3636UB |
| 설명 | TRANS PNP 175V 1A |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,280 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTX2N3636UB 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTX2N3636UB |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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JANTX2N3636UB 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/357 |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 1A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 175V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 10µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| 전력-최대 | 1.5W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, No Lead |
| 공급자 장치 패키지 | 3-SMD |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 2.5V @ 150mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대) 200µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 7.5A, 3V 전력-최대 70W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220 |
제조업체 Bourns Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 1.6A, 8A 전류-수집기 차단 (최대) 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 5A, 4V 전력-최대 2W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V 전력-최대 1W 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-243AA 공급자 장치 패키지 SOT-89-3 |
제조업체 Bourns Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대) 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V 전력-최대 2W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 2mA, 6V 전력-최대 400mW 주파수-전환 80MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
