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JANTXV1N3017B-1

JANTXV1N3017B-1

참조 용

부품 번호 JANTXV1N3017B-1
PNEDA 부품 번호 JANTXV1N3017B-1
설명 DIODE ZENER 7.5V 1W DO41
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,708
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 17 - 2월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV1N3017B-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV1N3017B-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • JANTXV1N3017B-1 Distributor

JANTXV1N3017B-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/115
전압-제너 (Nom) (Vz)7.5V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)4 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 5.7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 21V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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Central Semiconductor Corp

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

230 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 52V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZT52B3V6 RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

4.5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

SOD-123F

BZX79-C47,133

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

170 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 700mV

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

JANTX1N3154-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/158

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.8V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 5.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 2A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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