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JANTXV1N6344US

JANTXV1N6344US

참조 용

부품 번호 JANTXV1N6344US
PNEDA 부품 번호 JANTXV1N6344US
설명 DIODE ZENER 68V 500MW B-SQ MELF
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,758
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 26 - 12월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV1N6344US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV1N6344US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JANTXV1N6344US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/533
전압-제너 (Nom) (Vz)68V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)155 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50nA @ 52V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF, B
공급자 장치 패키지B, SQ-MELF

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전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±5%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1PMT4129/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 47.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

1PGSMA160Z R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

160V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.1 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 121.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

1N5353CE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 11.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

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