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JANTXV1N6346US

JANTXV1N6346US

참조 용

부품 번호 JANTXV1N6346US
PNEDA 부품 번호 JANTXV1N6346US
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,794
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANTXV1N6346US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANTXV1N6346US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JANTXV1N6346US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

110V

공차

±5%

전력-최대

50W

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 83.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AD

공급자 장치 패키지

TO-204AD (TO-3)

JANTX1N4959DUS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±1%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

E-MELF

공급자 장치 패키지

D-5B

MTZJT-774.7C

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

1N4755G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 32.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

BZX84C27 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 18.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

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