JANTXV1N6626US
참조 용
부품 번호 | JANTXV1N6626US |
PNEDA 부품 번호 | JANTXV1N6626US |
설명 | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B |
제조업체 | Microsemi |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 3,726 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTXV1N6626US 리소스
브랜드 | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | JANTXV1N6626US |
분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JANTXV1N6626US 사양
제조업체 | Microsemi Corporation |
시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/590 |
다이오드 유형 | Standard |
전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 220V |
전류-평균 정류 (Io) | 1.75A |
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.35V @ 2A |
속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
역 복구 시간 (trr) | 30ns |
전류-역방향 누설 @ Vr | 2µA @ 220V |
커패시턴스 @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | SQ-MELF, E |
공급자 장치 패키지 | D-5B |
작동 온도-접합 | -65°C ~ 150°C |
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Micro Commercial Co 제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
Micro Commercial Co 제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 40V 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial, Radial Bend 공급자 장치 패키지 A-405 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |