JANTXV1N757AUR-1
참조 용
| 부품 번호 | JANTXV1N757AUR-1 |
| PNEDA 부품 번호 | JANTXV1N757AUR-1 |
| 설명 | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,462 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 18 - 3월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JANTXV1N757AUR-1 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JANTXV1N757AUR-1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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JANTXV1N757AUR-1 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/127 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 9.1V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 10 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 7V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-213AA (Glass) |
| 공급자 장치 패키지 | DO-213AA |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/533 전압-제너 (Nom) (Vz) 6.8V 공차 ±1% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 3 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.4V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 B, Axial 공급자 장치 패키지 B, Axial |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 10V 공차 ±2% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 15 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 7.5V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 10mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지 Mini MELF |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 6.8V 공차 ±5% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 2.5 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 5.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-216AA 공급자 장치 패키지 DO-216AA |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 68V 공차 ±20% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 44 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 49V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 T-18, Axial 공급자 장치 패키지 T-18 |
