JDP2S12CR(TE85L,Q
참조 용
| 부품 번호 | JDP2S12CR(TE85L,Q | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | JDP2S12CR-TE85L-Q | ||||||||||||||||||
| 설명 | RF DIODE PIN 180V S-FLAT | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 78,529 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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JDP2S12CR(TE85L 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JDP2S12CR(TE85L,Q |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 다이오드-RF |
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JDP2S12CR(TE85L 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | PIN - Single |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 180V |
| 현재-최대 | 1A |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
| 저항 @ If, F | 700mOhm @ 10mA, 100MHz |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 패키지 / 케이스 | SOD-123F |
| 공급자 장치 패키지 | S-FLAT (1.6x3.5) |
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