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JDV2S07FSTPL3

JDV2S07FSTPL3

참조 용

부품 번호 JDV2S07FSTPL3
PNEDA 부품 번호 JDV2S07FSTPL3
설명 RF DIODE STANDARD 10V FSC
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $18.1535
100 ---------- $17.3025
250 ---------- $16.4516
500 ---------- $15.6006
750 ---------- $14.8915
1,000 ---------- $14.1824
재고 있음 7,947
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JDV2S07FSTPL3 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JDV2S07FSTPL3
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • JDV2S07FSTPL3 Distributor

JDV2S07FSTPL3 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대)10V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F4.9pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지fSC

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전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.2pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Isolated

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 0V, 100MHz

저항 @ If, F

60Ohm @ 1.5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

140mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

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