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JR28F032M29EWLA

JR28F032M29EWLA

참조 용

부품 번호 JR28F032M29EWLA
PNEDA 부품 번호 JR28F032M29EWLA
설명 IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
제조업체 Micron Technology Inc.
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JR28F032M29EWLA 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JR28F032M29EWLA
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
JR28F032M29EWLA, JR28F032M29EWLA 데이터 시트 (총 페이지: 87, 크기: 980.97 KB)
PDFPZ28F064M29EWTX 데이터 시트 표지
PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 2 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 3 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 4 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 5 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 6 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 7 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 8 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 9 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 10 PZ28F064M29EWTX 데이터 시트 페이지 11

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JR28F032M29EWLA 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지48-TSOP

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (2K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

68-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

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MT44K64M18RB-093F:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

1.125Gb (64Mb x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

1.28V ~ 1.42V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-TBGA

공급자 장치 패키지

168-BGA (13.5x13.5)

MT29F64G08CECCBH1-12:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-VBGA

공급자 장치 패키지

100-VBGA (12x18)

NAND256W3A2BZAXE

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50ns

접근 시간

50ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

55-TFBGA

공급자 장치 패키지

55-VFBGA (8x10)

S29GL256P10TFI023

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

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