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JS28F512P30BFA

JS28F512P30BFA

참조 용

부품 번호 JS28F512P30BFA
PNEDA 부품 번호 JS28F512P30BFA
설명 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
제조업체 Micron Technology Inc.
단가
1 ---------- $351.4134
50 ---------- $334.9409
100 ---------- $318.4684
200 ---------- $301.9959
400 ---------- $288.2688
500 ---------- $274.5417
재고 있음 3,130
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JS28F512P30BFA 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JS28F512P30BFA
분류반도체메모리 IC기억

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  • JS28F512P30BFA Distributor

JS28F512P30BFA 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Axcell™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지110ns
접근 시간110ns
전압-공급1.7V ~ 2V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지56-TSOP

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

16Gb (256M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT53B192M32D1Z9AMWC1

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

6Gb (192M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S34ML02G100BHB000

SkyHigh Memory Limited

제조업체

SkyHigh Memory Limited

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT29F128G08AMCABK3-10Z:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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