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KBP152G C2G

KBP152G C2G

참조 용

부품 번호 KBP152G C2G
PNEDA 부품 번호 KBP152G-C2G
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A KBP
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
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KBP152G C2G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KBP152G C2G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
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KBP152G C2G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1.5A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBP
공급자 장치 패키지KBP

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Single Phase

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전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 20A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Comchip Technology

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 2A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 10A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GBJ

공급자 장치 패키지

GBJ

GSIB2540N-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, GSIB-5S

공급자 장치 패키지

GSIB-5S

BU1508-E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

3.4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 7.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, BU

공급자 장치 패키지

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