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KBP201G C2

KBP201G C2

참조 용

부품 번호 KBP201G C2
PNEDA 부품 번호 KBP201G-C2
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
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KBP201G C2 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KBP201G C2
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
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KBP201G C2 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 2A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 50V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBP
공급자 장치 패키지KBP

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전압-피크 역방향 (최대)

600V

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15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

960mV @ 7.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBL

공급자 장치 패키지

KBL

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GeneSiC Semiconductor

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GeneSiC Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

공급자 장치 패키지

DB

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 25A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, TS-6P

공급자 장치 패키지

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전압-피크 역방향 (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 150A

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 1600V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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