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KBU8G

KBU8G

참조 용

부품 번호 KBU8G
PNEDA 부품 번호 KBU8G
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가
1 ---------- $29.5272
100 ---------- $28.1431
250 ---------- $26.7590
500 ---------- $25.3749
750 ---------- $24.2215
1,000 ---------- $23.0681
재고 있음 397
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

KBU8G 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KBU8G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
KBU8G, KBU8G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 419.86 KB)
PDFKBU8D 데이터 시트 표지
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KBU8G 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 8A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 400V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBU
공급자 장치 패키지KBU

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전압-피크 역방향 (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

전류-역방향 누설 @ Vr

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다이오드 유형

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기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 17.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

작동 온도

-

장착 유형

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GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

50A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 25A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-Square, KBPC-W

공급자 장치 패키지

KBPC-W

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBP

공급자 장치 패키지

KBP

제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1.8kV

전류-평균 정류 (Io)

122A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.65V @ 300A

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 1800V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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