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KSD1616AYBU

KSD1616AYBU

참조 용

부품 번호 KSD1616AYBU
PNEDA 부품 번호 KSD1616AYBU
설명 TRANS NPN 60V 1A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,524
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

KSD1616AYBU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KSD1616AYBU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
KSD1616AYBU, KSD1616AYBU 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 321.34 KB)
PDFKSD1616AYBU 데이터 시트 표지
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KSD1616AYBU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce135 @ 100mA, 2V
전력-최대750mW
주파수-전환160MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

280mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

전력-최대

15W

주파수-전환

-

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-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V

전력-최대

50W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

465V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 250mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

13 @ 500mA, 2V

전력-최대

1.1W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92

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Toshiba Semiconductor and Storage

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 75mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

전력-최대

900mW

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