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L6385ED

L6385ED

참조 용

부품 번호 L6385ED
PNEDA 부품 번호 L6385ED
설명 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 12,246
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

L6385ED 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L6385ED
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
L6385ED, L6385ED 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 312.14 KB)
PDFL6385E 데이터 시트 표지
L6385E 데이터 시트 페이지 2 L6385E 데이터 시트 페이지 3 L6385E 데이터 시트 페이지 4 L6385E 데이터 시트 페이지 5 L6385E 데이터 시트 페이지 6 L6385E 데이터 시트 페이지 7 L6385E 데이터 시트 페이지 8 L6385E 데이터 시트 페이지 9 L6385E 데이터 시트 페이지 10 L6385E 데이터 시트 페이지 11

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L6385ED 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급17V (Max)
논리 전압-VIL, VIH1.5V, 3.6V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)400mA, 650mA
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)50ns, 30ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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게이트 유형

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 90ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

19ns, 19ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UCC27516DRSR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-SON-EP (3x3)

LM5111-4MYX/NOPB

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.5V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-EP

TPS2817DBVT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 14ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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