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L6386

L6386

참조 용

부품 번호 L6386
PNEDA 부품 번호 L6386
설명 IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-DIP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

L6386 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L6386
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
L6386, L6386 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 172.53 KB)
PDFL6386 데이터 시트 표지
L6386 데이터 시트 페이지 2 L6386 데이터 시트 페이지 3 L6386 데이터 시트 페이지 4 L6386 데이터 시트 페이지 5 L6386 데이터 시트 페이지 6 L6386 데이터 시트 페이지 7 L6386 데이터 시트 페이지 8 L6386 데이터 시트 페이지 9 L6386 데이터 시트 페이지 10

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L6386 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급17V (Max)
논리 전압-VIL, VIH1.5V, 3.6V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)400mA, 650mA
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)50ns, 30ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지14-DIP

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Microchip Technology

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 32V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

120ns, 45ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MAX15054AUT+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.6V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1.8V, 3.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

65V

상승 / 하강 시간 (일반)

18ns, 16ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-23-6

TC4427ACOA713

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR21814STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

IXDD514SIA

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

14A, 14A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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