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L6569AD

L6569AD

참조 용

부품 번호 L6569AD
PNEDA 부품 번호 L6569AD
설명 IC HALF BRIDGE DVR W/OSC 8 SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 21,624
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

L6569AD 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L6569AD
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
L6569AD, L6569AD 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 176.02 KB)
PDFE-L6569D 데이터 시트 표지
E-L6569D 데이터 시트 페이지 2 E-L6569D 데이터 시트 페이지 3 E-L6569D 데이터 시트 페이지 4 E-L6569D 데이터 시트 페이지 5 E-L6569D 데이터 시트 페이지 6 E-L6569D 데이터 시트 페이지 7 E-L6569D 데이터 시트 페이지 8 E-L6569D 데이터 시트 페이지 9 E-L6569D 데이터 시트 페이지 10 E-L6569D 데이터 시트 페이지 11

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L6569AD 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 16.6V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)170mA, 270mA
입력 유형RC Input Circuit
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

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1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1.08V, 1.93V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 6A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4ns, 3.5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-SON (3x3)

IR21094STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

LM5100ASD

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

2.3V, -

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

430ns, 260ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-WSON (4x4)

MIC4468YN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2A, 1.2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 13ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-DIP

HIP4082IB

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

95V

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 9ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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