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L6747C

L6747C

참조 용

부품 번호 L6747C
PNEDA 부품 번호 L6747C
설명 IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-VFDFPN
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,734
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

L6747C 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L6747C
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
L6747C, L6747C 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 127.94 KB)
PDFL6747C 데이터 시트 표지
L6747C 데이터 시트 페이지 2 L6747C 데이터 시트 페이지 3 L6747C 데이터 시트 페이지 4 L6747C 데이터 시트 페이지 5 L6747C 데이터 시트 페이지 6 L6747C 데이터 시트 페이지 7 L6747C 데이터 시트 페이지 8 L6747C 데이터 시트 페이지 9 L6747C 데이터 시트 페이지 10 L6747C 데이터 시트 페이지 11

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L6747C 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급5V ~ 12V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3.5A, -
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)41V
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도0°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-VFDFPN (3x3)

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Renesas Electronics America Inc.

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Half-Bridge

채널 유형

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4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

70V

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 9ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 6.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

LM5111-2MX/NOPB

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제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

3.5V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UC2705DG4

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 40V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

60ns, 60ns

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS2181STRPBF

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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