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LE25S81AFDTWG

LE25S81AFDTWG

참조 용

부품 번호 LE25S81AFDTWG
PNEDA 부품 번호 LE25S81AFDTWG
설명 IC FLASH 8M SPI 70MHZ 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
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LE25S81AFDTWG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LE25S81AFDTWG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
LE25S81AFDTWG, LE25S81AFDTWG 데이터 시트 (총 페이지: 51, 크기: 630.81 KB)
PDFLE25S81AFDTWG 데이터 시트 표지
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LE25S81AFDTWG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수70MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지500µs
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 90°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-VSOIC

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Alliance Memory, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6.7ns

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

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시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

74F189SC

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

RAM

메모리 크기

64b (16 x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

29ns

접근 시간

27ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

THGAF8T0T43BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

시리즈

Consumer UFS

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Tb (128G x 8)

메모리 인터페이스

UFS

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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