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LM25101CMYE/NOPB

LM25101CMYE/NOPB

참조 용

부품 번호 LM25101CMYE/NOPB
PNEDA 부품 번호 LM25101CMYE-NOPB
설명 IC GATE DVR HI/LO SIDE 8MSOP
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
재고 있음 8,118
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LM25101CMYE/NOPB 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LM25101CMYE/NOPB
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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LM25101CMYE/NOPB 사양

제조업체
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급9V ~ 14V
논리 전압-VIL, VIH2.3V, -
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1A, 1A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)100V
상승 / 하강 시간 (일반)990ns, 715ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-MSOP-PowerPad

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ON Semiconductor

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구동 구성

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채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 15ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MAX8552EUB+T

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 6.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

10-uMAX

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 23ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IXDF604SIA

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS2113MPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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