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LSM540J/TR13

LSM540J/TR13

참조 용

부품 번호 LSM540J/TR13
PNEDA 부품 번호 LSM540J-TR13
설명 DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,258
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LSM540J/TR13 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LSM540J/TR13
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
LSM540J/TR13, LSM540J/TR13 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 107.05 KB)
PDFLSM545JE3 데이터 시트 표지
LSM545JE3 데이터 시트 페이지 2

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LSM540J/TR13 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)40V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If520mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr2mA @ 40V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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STMicroelectronics

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2400V

전류-평균 정류 (Io)

400A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.62V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

15mA @ 2400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AB, DO-9, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AB, DO-9

작동 온도-접합

-40°C ~ 190°C

JANTX1N6077

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/503

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.76V @ 18.8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

A-PAK

작동 온도-접합

-65°C ~ 155°C

1N4004G B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBRH200100

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

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