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LT8672EMS#PBF

LT8672EMS#PBF

참조 용

부품 번호 LT8672EMS#PBF
PNEDA 부품 번호 LT8672EMS-PBF
설명 IC ACTIVE RECTIFIER CNTRL 10MSOP
제조업체 Linear Technology/Analog Devices
단가 견적 요청
재고 있음 7,362
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LT8672EMS#PBF 리소스

브랜드 Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LT8672EMS#PBF
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
LT8672EMS#PBF, LT8672EMS#PBF 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 1,847.71 KB)
PDFLT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 표지
LT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 페이지 2 LT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 페이지 3 LT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 페이지 4 LT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 페이지 5 LT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 페이지 6 LT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 페이지 7 LT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 페이지 8 LT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 페이지 9 LT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 페이지 10 LT8672HDDB#TRPBF 데이터 시트 페이지 11

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  • LT8672EMS#PBF Distributor

LT8672EMS#PBF 사양

제조업체Linear Technology/Analog Devices
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급3V ~ 42V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지10-MSOP

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

2SP0115T2C0-12

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

8A, 15A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

NCD5702DR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.75V, 4.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

7.8A, 6.8A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9.2ns, 7.9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

2SB315B-FF800R17KP4_B2

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

0V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

ISL6605IRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

33V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VQFN Exposed Pad

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