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LTC1177IN-5

LTC1177IN-5

참조 용

부품 번호 LTC1177IN-5
PNEDA 부품 번호 LTC1177IN-5
설명 5V ISOLATED HI SIDE DX UL RECOG.
제조업체 Linear Technology/Analog Devices
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LTC1177IN-5 리소스

브랜드 Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LTC1177IN-5
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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LTC1177IN-5 사양

제조업체Linear Technology/Analog Devices
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형-
드라이버 수1
게이트 유형-
전압-공급4.75V ~ 5.25V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지18-DIP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

24V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

7.8A, 7.1A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

TPIC44L01DBG4

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2mA, 1.2mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3.5µs, 3µs

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

24-SSOP

L9380

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

3

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 18.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SO

HIP4081AIP

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.6A, 2.4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

95V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

20-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

20-PDIP

NCP3418DR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.6V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

30V

상승 / 하강 시간 (일반)

18ns, 10ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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